三星宣布5nm、4nm、3nm製程!採用全新電晶體管架構

三星宣布5nm、4nm、3nm製程!採用全新電晶體管架構 這兩年,三星電子、台積電在半導體製程上一路狂奔,雖然有技術之爭但把曾經的領導者Intel遠遠甩在身後已經是不爭的事實。 在美國舉行的三星製程論壇SFF 2018 USA之上,三星更是宣布將連續進軍5nm、4nm、3nm製程,直逼物理極限!三星宣布5nm、4nm、3nm工藝! 高性能低功耗兼顧7LPP (7nm Low Power Plus)三星將在7LPP製程上首次應用EUV極紫外光刻技術,預計今年下半年投產。關鍵IP正在研發中,明年上半年完成。5LPE (5nm Low Power Early)在7LPP製程的基礎上繼續創新改進,可進一步縮小晶片核心面積,帶來超低功耗。4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)最後一次應用高度成熟和行業驗證的FinFET立體電晶體管技術,結合此前5LPE製程的成熟技術,晶片面積更小,性能更高,可以快速達到高良率量產,也方便客戶升級。3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus) Gate-All-Around就是環繞柵極,相比於現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計,將重新設計電晶體管底層結構,克服當前技術的物理、性能極限,增強柵極控制,性能大大提升。三星的GAA技術叫做MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET)。大家可能以為三星的製程主要用來生產行動處理器等低功耗設備,但其實在高性能領域,三星也準備了殺手鐧,大規模數據中心、AI人工智慧、ML機器學習,7LPP和後續製程都能提供服務,並有一整套平台解決方案。譬如高速的100Gbps+ SerDes(串行轉換解串器),三星就設計了2.5D/3D異構封裝技術。而針對5G、車聯網領域的低功耗微控制器(MCU)、下代聯網設備,三星也將提供全套完整的平台方案,從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君選擇。 消息來源 公告 [限時贈票] 夏日啤酒怒喝去 TAGS 三星 晶圓代工 台積電 聯電

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