Intel將於今年年底推出3D XPoint NVDIMM以取代DRAM

Intel將於今年年底推出3D XPoint NVDIMM以取代DRAM 三年前Intel、美光宣布了3D XPoint,號稱性能、耐用性是快閃記憶體的1000倍,容量密度是記憶體的10倍,是首個量產的能夠兼具快閃記憶體、DRAM優勢的革命性儲存晶片。目前3D XPoint已經在SSD領域逐步開花結果,下一步就要進軍記憶體市場了,Intel將在今年內推出NVDIMM標準的3D XPoint記憶體,容量更大,而且斷電也不會丟失數據。 有必要先了解下DRAM、NAND的區別,簡單說就是DRAM速度極快,延遲是納秒級的,但容量小(相對來說),斷電就損失數據,而NAND容量大、價格低,不過延遲是微秒級的,性能遠不如記憶體。JEDEC標準化組織之前推出了NVDIMM標準,也就是一種斷電不損失數據、使用記憶體封裝格式的產品,介於DRAM與NAND之間。 Intel XEON處理器/數據中心市場部經理Lisa Spellman日前在日本出席了一場公開活動,介紹了Intel在伺服器、數據中心市場上的新進展,PC Watach網站做了詳細報導,除了新一代Xeon處理器之外,Intel的還透露了採用3D XPoint的NVDIMM記憶體進展。根據Intel所說,採用3D XPoint的NVDIMM記憶體預計今年中開始發貨,將用於下一代代號Cascade Lake的Xeon Scale處理器平台上。不過原文並沒有提及Intel的NVDIMM記憶體的具體規格,容量、性能依然未知。消息來源

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