3D NAND研發創新結構 旺宏(2337)領先國際大廠

3D NAND研發創新結構 旺宏(2337)領先國際大廠 http://m.ltn.com.tw/news/business/breakingnews/2269101〔記者洪友芳/新竹報導〕記憶體大廠旺宏電子(2337)昨宣布今年計有四篇論文入選國際電子元件大會(IEDM),成果超越國際記憶體大廠,其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為「亮點論文」(Highlight Paper),是今年台灣產學研界唯一獲選的重要研究成果,再次凸顯旺宏在先進記憶體的研發實力持續受到國際高度肯定,也顯示旺宏在3D NAND(儲存型)快閃記憶體議題上扮演重要角色。微電子元件界年度最重要會議─國際電子元件大會IEDM將於12月2日到12月6日在美國舊金山舉行,旺宏電子計有四篇論文入選,其中獲選為IEDM 「亮點論文」的研究成果,主要是揭露一個嶄新的3D NAND記憶晶胞架構,由旺宏獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構(Single-Gate Vertical Channel, SGVC),相較於其他大廠現有技術,以相同的堆疊層數卻可達到2至3倍的記憶體密度。旺宏指出,該篇研究成果顯示,旺宏的SGVC只要堆疊16層,其記憶體密度即可達到現行閘極環繞型結構 (Gate All Around, GAA)所堆疊的48層效果。此外,也因記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構,因此可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度,適合於需要頻繁讀取資料的各式應用,低層數的堆疊也有利於製程良率的提升,對於未來發展高密度、高品質的記憶體提供了一個更具競爭力的方案。其他入選的三篇技術論文,一篇是藉由電腦模擬的協助,降低3D NAND中相鄰Wordline (WL)的干擾問題,一篇則為探討相變化記憶體所採用選擇器元件(Selector)的材料問題,旺宏研究人員發現,在TeAsGeSi(碲砷鍺矽)四種合成化合物中,若是摻入Se(硒),可促使Selector 具備更佳的電性開關行為,提供了現有相變化記憶體(Phase Change Memory, PCM)所需使用選擇器的一種良好選擇,另一篇則是探究ReRAM元件在高阻態(High Resistance State) 的變化機制。幾家大廠已少在國際上發表論文,避免研究成果被偷學,旺宏電子仍樂於分享,從2003年起持續於IEDM發表論文,目前發表的論文數已超過60篇,近年來獲選的論文篇數常居台灣之冠,且幾乎每兩到三年就有論文獲選為「亮點論文」,目前累積篇數已達6篇之多,其中2012年更同時有兩篇研究成果入選為「亮點論文」。今年大會特別推薦的16篇「亮點論文」,所有投稿的台灣企業及學術研究機構中,僅有旺宏電子入選,再次顯示旺宏電子在全球先進記憶體領域的優異競爭實力。IEDM平均每年約有來自全球約600篇論文投稿,最後經極嚴謹的程序再評選出10個次領域約200篇於會中發表。在記憶體技術次領域,今年僅有25篇入選,旺宏電子在該領域的成果表現,領先各國際級記憶體大廠。今年台灣產學研界獲選的論文總計有17篇(以第一作者統計),包括產業11篇,其中旺宏電子即有4篇入選,學研界6篇。[url=][/url][size=1.1]旺宏董事長吳敏求。(記者洪友芳攝) 本帖最後由 fainted 於 2017-11-30 12:21 編輯

科學的奧妙你所不知道的世界:|超視王|力雪達|芙婷寶|蝦青素|地龍粉|地龍酵素|磷蝦油|PPLS|健康食品|血栓溶解酵素|南極冰洋磷蝦油|膠骨力|蝦紅素|膠股力|蚯蚓粉|葉黃素|蜂王漿|蜂王乳|智勝王|保健食品|青春元素

發表迴響

你的電子郵件位址並不會被公開。 必要欄位標記為 *