三星推出 11 奈米 FinFET 製程,並宣布 7 奈米製程將全面導入 EUV

三星推出 11 奈米 FinFET 製程,並宣布 7 奈米製程將全面導入 EUV https://finance.technews.tw/2017/09/30/samsung-11nm/隨著台積電宣布全世界第一個 3 奈米製程的建廠計畫落腳台灣南科之後,10 奈米以下個位數製程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。台積電的對手三星 29 日也宣布,將開始導入 11 奈米的 FinFET,預計在 2018 年正式投產之外,也宣布將在新一代的 7 奈米製程上全面採用 EUV 極紫外線光刻設備。根據三星表示,11 奈米 FinFET 製程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米製程的融合,一方面採用 10 奈米製程 BEOL (後端製程),可以大大縮小晶片面積。另一方面,也沿用 14 奈米 LPP 製程的部分元素。未來,三星的 11LPP 製程技術將填補 14 奈米與、10 奈米製程之間的空白,號稱可在同等電晶體數量和功耗下,比 14LPP 製程技術提升 15% 的性能,或者降低 10% 的功耗。另外,還可以使得電晶體的密度也有所提升。至於,三星於 2016 年 10 月開始投產 10 奈米製程技術「10LPE (10nm Low Power Early)」。而目前已經完成研發,達到即將投產的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」狀態,主要將可協助生產更高規格的智慧型手機晶片。而三星的 14 奈米製程技術部分,則將以主流、低功耗和緊緻型的晶片生產為主。目前,三星還在積極開發增加新一代的 14LPU、10LPU 製程版本。另外,三星還表示,未來還一路準備了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米製程技術,其中 7 奈米的 7LPP 版本還將會全面加入 EUV 極紫外光刻設備製程,而且確認將在 2018 年下半年試產。不過,也另有報導表示,在那之前的 2018 年上半年,三星會首先在 8LPP 製程的特定製程上開始使用 EUV。三星指出,2014 年以來,已經使用 EUV 技術處理了接近 20 萬片晶圓,並取得了豐碩成果。比如 256Mb SRAM 的產品良率已經達到了 80%。而也因為三星有晶圓代工,DRAM,NAND Flash 的製造與生產能力,又在記憶體產品的市佔率上獨佔鰲頭。使得,三星具有雄厚的本錢可以使用 EUV 的設備。但是,這也使得其他競爭廠商產生龐大的成本壓力。因為, EUV 的價值不斐,要能夠有效率的應用以增加收入,這對其他記憶體廠商來說是一件具備壓力的事情。(首圖來源:三星官方臉書) 公告 [站內活動] 歡慶開版回帖送苦勞值 TAGS 台積電 三星 英特爾 晶圓代工 記憶體 海力士 美光

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