SK hynix 砸錢擴產!3D NAND 恐過剩,DRAM 漲勢畫句點?

SK hynix 砸錢擴產!3D NAND 恐過剩,DRAM 漲勢畫句點? https://technews.tw/2017/07/28/3d-nand-excess-dram/記憶體進入製程轉換,產能大減,從去年下半到今年上半以來,DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%,難怪業者無不撒錢擴產。但是 IC Insights 警告,過度投資恐怕會導致產能過剩。韓媒 etnews 報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士(SK hynix)26 日表示,今年將斥資 86.1 億美元(約 9.6 兆韓圜),進行設備投資。此一金額比年初宣布數字高出 37%,也比該公司去年的設備投資總額高出 53%。SK 海力士撒錢,是想讓新廠提前完工。該公司主管 Lee Myung-young 說,生產 DRAM 的中國無錫廠和生產 NAND Flash 的南韓清州(Cheongju)廠,原定完工時間是 2019 年上半,如今將提早至 2018 年第四季,比預定時間提早半年。SK 海力士強調,新廠落成後,記憶體產出不至於暴增,估計 DRAM 和 NAND Flash 產能只會增加 3~5%,呼籲市場放心。業界人士認為,這是因為資金多用於技術升級。然而記憶體業者大手筆投資,仍讓 IC Insights 憂心忡忡。該機構 18 日新聞稿稱,記憶體以往市況顯示,過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK 海力士、美光、英特爾、東芝 / SanDisk、武漢新芯(XMC) / 長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高 3D NAND Flash 產能,未來可能還有中國新業者加入戰場,3D NAND Flash 產能過多的可能性「非常高」(very high)。此外,DRAM 和 NAND 的價格漲勢也逐漸放緩(見下圖)。儘管 DRAM 均價漲勢在 2016 年第四季觸頂,但是直到 2017 年 Q2 仍表現強健。IC Insights 估計,今年 Q3 DARM 均價將略為上揚,Q4 則微幅下跌,代表 DRAM 上升循環告終。(Source:IC Insights)(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)延伸閱讀:三星向自家晶片工廠投資 180 億美元,滿足物聯網、人工智慧裝置的爆發需求 公告 [站內活動] 卡提諾迎鬼月,回帖抽大禮 TAGS 記憶體 海力士 三星 DRAM NAND 美光 收藏 0 感謝0 支持0 反對0 分享 分享 複製連結 網址已複製 回覆

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